中金指出，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。
全文如下中金 | AI进化论（19）：SiC向左，GaN向右，三代半导体成为数据中心高压架构的必然解
中金研究
在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。我们认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。
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数据中心供电方案变革之下，SiC/GaN产业需求有望迎来明显受益，有望带来广阔的市场空间。在数据中心算力芯片功率密度提升，能源转换效率要求不断严苛的背景下，第三代化合物半导体SiC/GaN凭借物理特性优势，有望在机房侧和机柜侧逐步对Si基功率半导体形成替代。我们测算，2030年单MW数据中心建设对应的SiC器件/GaN器件有望分别达到1.0/2.1万颗，对应单MW价值量有望达22万/4.9万美元，市场空间可观。
从投资节奏上来看，短期高压架构对三代半导体供给冲击有限，长期期权更应被合理定价。结合Semi Analysis的研究结论，我们认同数据中心供电架构的变革会经历四个发展阶段，2026-2030年间，机柜（白区）及机房（灰区）侧有望逐步被800V/±400VDC系统改造，并驱动第三代化合物半导体需求增长。短期1-2年内800V边柜（Sidecar）引领的过渡架构可能对SiC的需求拉动有限，但是随着：1）机柜侧刀片降压甚至800V-6V的高密度电源转换、2）机房侧集中整流、3）SST等需求落地，我们认为SiC/GaN相关公司的长期期权更应被合理定价。
中国企业迎来确定性成长机会。我们认为中国企业已在SiC/GaN领域实现深度布局，竞争力持续提升；未来中国第三代化合物半导体产业链公司有望较大幅度受益于数据中心高压架构的渗透。
商务部新闻发言人就美国贸易代表格里尔针对中国履行中美第一阶段经贸协议情况301调查相关言论答记者问。问：近日，美国贸易代表格里尔表示，将继续推进对中国履行中美第一阶段经贸协议情况301调查，并可能采取关税措施。中方对此有何评论？答：中方希望美方客观、理性看待第一阶段协议的实施问题，不要“甩锅推责”，更不要借机“生事”“挑事”。中方愿与美方一道，以两国元首重要共识为指引，用好中美经贸磋商机制，着眼未来，聚焦落实双方现有经贸共识成果，积极挖掘双方利益契合点，共同“向前看”。
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公告里明确了减持的具体安排，珠海明骏会在公告披露之日起15个交易日后的3个月内，通过大宗交易的方式完成减持，目前其持有格力电器9.02亿股，占公司总股本的16.11%，如果这次减持完成，其持股比例会降到14.11%左右，但依旧会是格力电器的第一大股东。同时公告也特意说明，珠海明骏持有的这部分股份，是2020年1月从格力集团协议受让而来，早已完成了36个月的锁定期承诺，这次减持完全合规，不存在违反承诺的情况。
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